ICP--150等离子体刻蚀机

设备名称：等离子体刻蚀机
设备型号：ICP--150
使用单位：成都电子科技大学


设备指示：
1.  基片尺寸：6 英寸圆片及以下；4 片 4x4 cm 方片
2.  工艺腔体：进口铝材 6061，一体化加工，内壁硬氧处理
3.  传输腔室：机械手臂不破真空进行样品传输
4.  射频电源：等离子体源 1000W，13.56MHz，自动匹配；偏置源 1000W，13.56MHz，
                        自动匹配
5.  控压阀门：程控自动
6.  温度控制：载片台温度可控（液控），氦气背冷
7.  真空测量：薄膜电容工艺规；全量程规
8.  工艺气体：5 路工艺气体
9.  控制系统：电气系统和软件控制全自主开发，Windows 环境，触摸屏操作
10. 机台特点：一体型设备，参考占地面积 1400mm（长）×1000mm（宽）；不锈钢光面
              洁净外板
11. 安全机制：机台异常处理机制与急停机制（EMO）
12. 工艺应用：硅基材料及聚合物（如 Teflon、Parylene）等常规材料刻蚀
13. 工艺性能：
 ● SiO2 刻蚀工艺：
     *刻蚀速率：≥ 100 nm/min
     *片内刻蚀均匀性：≤ ± 3%（6 英寸）@去除无效边缘
     *片间刻蚀重复性：≤ ± 3%（6 英寸）@去除无效边缘
     *侧壁角度：≥85°
     *深宽比：＞2:1（宽 2μm）
 ● Si3N4 刻蚀工艺：
     *刻蚀速率：≥ 150 nm/min
     *片内刻蚀均匀性：≤ ± 3%（6 英寸）@去除无效边缘
     *片间刻蚀重复性：≤ ± 3%（6 英寸）@去除无效边缘
     *侧壁角度：≥85°
     *深宽比：＞2:1（宽 2μm）